Micron Technology ha annunciato oggi di aver spedito dei campioni della sua tecnologia DRAM 1β (1-beta) a selezionati produttori di smartphone e chipset e di aver raggiunto la produzione di massa con il nodo tecnologico DRAM più avanzato al mondo che vanta un numero di bit per wafer di memoria mai raggiunto prima.

La tecnologia di processo di nuova generazione permette all’azienda di compiere un importante balzo in avanti per quanto riguarda le innovazioni nel campo della memoria e dell’archiviazione, dato che la sua memoria mobile a basso consumo a doppia velocità di trasferimento dati 5X (LPDDR5X) è in grado di offrire velocità massime di 8,5 gigabit (Gb) al secondo.

La nuova tecnologia DRAM di Micron migliorerà le prestazioni dei dispositivi consumando meno energia

Il nuovo nodo 1-beta di Micron consente di ottenere guadagni significativi in termini di prestazioni ed efficienza energetica, fattori essenziali per supportare applicazioni altamente reattive, servizi in tempo reale, personalizzazione e contestualizzazione delle esperienze, dai veicoli intelligenti ai data center.

Mentre l’industria di settore ha iniziato a utilizzare la luce ultravioletta estrema per sfidare le leggi della fisica, Micron ha sfruttato le sue comprovate capacità di nanofabbricazione e litografia di ultima generazione per aggirare questa tecnologia ancora emergente.

La tecnologia di Micron introdurrà una nuova generazione di esperienze fruibili attraverso gli smartphone consumando meno energia, un aspetto cruciale soprattutto per i dispositivi mobili.

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