Attraverso il suo sito ufficiale Samsung ha annunciato lo sviluppo di una memoria DRAM DDR5 da 16 gigabit che, per la prima volta, è stata realizzata con un processo produttivo a 12 nm.

Samsung vuole imporsi nel mercato delle memorie volatili con la nuova DRAM DDR5 a 12 nm

I benefici che derivano dall’implementazione di questa nuova tecnologia di processo riguardano il rapporto tra consumi e prestazioni, l’azienda ha scelto di utilizzare un nuovo materiale ad alto k in grado di aumentare la capacità elettrica delle celle e una tecnologia di progettazione proprietaria che migliora le caratteristiche critiche del circuito. Jooyoung Lee, Executive Vice President of DRAM Product & Technology presso Samsung Electronics ha dichiarato:

La nostra DRAM a 12 nm sarà un fattore chiave per favorire l’adozione a livello di mercato delle DRAM DDR5. Con prestazioni ed efficienza energetica eccezionali, ci aspettiamo che la nostra nuova DRAM funga da base per operazioni più sostenibili in aree come l’informatica di nuova generazione, i data center e i sistemi basati sull’intelligenza artificiale.

La nuova componente presenta la più alta densità di die del settore, grazie all’avanzata litografia ultravioletta estrema (EUV) multistrato, che consente di aumentare la produzione dei wafer del 20%. La nuova memoria sviluppata è in grado di raggiungere velocità fino a 7,2 gigabit al secondo (Gbps), è dunque in grado di elaborare ben 60 GB di dati in un secondo. La velocità del nuovo modulo non è ovviamente l’unica miglioria, anche dal punto di vista dell’efficienza energetica infatti possiamo notare un consumo energetico ridotto del 23% rispetto alla DRAM precedente, strizzando l’occhio alle aziende che cercano di tutelare maggiormente l’ambiente.

Samsung ha sviluppato una nuova DRAM DDR5 a 12 nm che promette velocità estreme 1
Samsung ha sviluppato una nuova DRAM DDR5 a 12 nm che promette velocità estreme 2
Samsung ha sviluppato una nuova DRAM DDR5 a 12 nm che promette velocità estreme 3
Samsung ha sviluppato una nuova DRAM DDR5 a 12 nm che promette velocità estreme 4

La nuova memoria è inoltre compatibile con AMD, il cui Senior VP, Corporate Fellow e Client, Compute and Graphics CTO Joe Macri ha sottolineato:

L’innovazione spesso richiede una stretta collaborazione con i partner del settore per spingere i limiti della tecnologia. Siamo entusiasti di collaborare ancora una volta con Samsung, in particolare per l’introduzione di prodotti di memoria DDR5 ottimizzati e convalidati su piattaforme ‘Zen’.

L’inizio della produzione di massa delle nuove memorie a 12 nm è attesa per il prossimo anno, grazie alla nuova tecnologia Samsung prevede di ampliare la sua gamma di DRAM con la quale affermarsi ulteriormente in svariati di segmenti di mercato.

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