In occasione del Memory Tech Day dello scorso fine settimana, Samsung ha mostrato al pubblico le memorie e le tecnologie di prossima generazione pensate per i dispositivi del futuro, con particolare attenzione al mondo dell’Intelligenza Artificiale, vero punto di sfida per aziende del calibro di Samsung che da sempre mirano a portare avanti il progresso tecnologico.

Diverse le tematiche toccate, si è parlato di prodotti del futuro, inedite tecniche di produzione, materiali di nuova generazione e tutto quello che servirà per superare quelle che il colosso sudcoreano definisce “le sfide dell’era dell’iperscala”.

Le novità di Samsung per le memorie di prossima generazione

Tra le molte novità mostrate da Samsung all’evento, spiccano sicuramente le fiammanti memorie HBM3E nome in codice “Shinebolt”; si tratta di un’ulteriore evoluzione delle già ottime HBM2E, soluzioni che trovano impiego nelle applicazioni legate all’Intelligenza Artificiale e che mirano ad accelerare ulteriormente l’addestramento e l’inferenza dei modelli AI nei data center. I nuovi chip di memoria proposti da Samsung sono realizzati con tecnologia NCF (a film non conduttivo) e vantano una velocità di 9,8 Gbps (per pin) con un picco nel trasferimento dati che può superare 1,2 Tbps (a dir poco notevole).

Ma non è tutto, il produttore ha presentato ulteriori soluzioni di memoria che coniugano alte prestazioni, elevata capacità e soprattutto efficienza; tra queste troviamo le nuove DRAM LPDDR5X da 9,6Gbps, i moduli LPDDR5X CAMM21 da 7,5Gbps destinati al mondo PC, memorie USF di nuova generazione e le DRAM LLW2 pensate per l’AI on-device.

Samsung HBM3E

Sempre per il mondo PC consumer, segnaliamo anche la prima memoria grafica GDDR7 da 32 Gbps per GPU Next-Gen e l’SSD BM9CC1 basato sulle più recenti NAND QLC (Quad-Level Cell). C’è posto infine anche per un prodotto destinato al settore automotive, anche questo in continua espansione e sempre più esigente in quanto a requisiti di archiviazione; Samsung ha pensato per l’occasione all’AutoSSD, un SSD rimovibile con capacità di 4 TB e prestazioni davvero niente male visto che offre una velocità di trasferimento dati sino a 6.500 Mbps.

Oltre al presente si guarda già al futuro; in quest’ottica i vertici dell’azienda hanno illustrato anche una roadmap che vede Samsung pronta con la produzione di massa delle DRAM a 12nm (maggio 2024), mentre sono già in fase di sviluppo le prossime DRAM a 11, le V-NAND di 9a gen (sempre per il 2024) e nuove tecnologie per memorie flash in grado di dare vite a chip V-NAND da oltre 1.000 strati. Ovviamente parliamo di prodotti che non vedremo in commercio da domani, la maggior parte dei dispositivi basati sulle nuove memorie Samsung giungerà sul mercato nei prossimi mesi, altri a 2024 inoltrato.

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